太原理工大学学报2019,Vol.50Issue(5):549-555,7.DOI:10.16355/j.cnki.issn1007-9432tyut.2019.05.001
GaN/TiO2-x异质结的制备以及氮化温度对其光电化学性能的影响
Preparation of GaN/TiO2-x Heterojunction and Effect of Nitriding Temperature on Its Photoelectrochemical Properties
摘要
关键词
Ga2O3/TiO2/溶胶凝胶法/氮化温度/GaN/TiO2-x/光电化学性能分类
数理科学引用本文复制引用
钱凯,薛晋波,胡兰青..GaN/TiO2-x异质结的制备以及氮化温度对其光电化学性能的影响[J].太原理工大学学报,2019,50(5):549-555,7.基金项目
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山西省自然科学基金资助项目(201601D102020,201701D221083) (201601D102020,201701D221083)
山西省重点研发计划项目(201603D121017,201803D421079,201803D31042) (201603D121017,201803D421079,201803D31042)
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