西安理工大学学报2019，Vol.35Issue(2)：155-162,8.DOI:10.19322/j.cnki.issn.1006-4710.2019.02.004
特高压1100 kV GIS盆式绝缘子中心导体与绝缘盆体之间界面应力形成和作用过程讨论
Discussion on the formation and action process of interfacial stress between the center conductor and the insulation material of the UHV spacer used in 1100 kV GIS
摘要
关键词
特高压/GIS盆式绝缘子/界面效应/切应力分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王闯,贾静,赵朗,卜越,贾嵘,彭宗仁..特高压1100 kV GIS盆式绝缘子中心导体与绝缘盆体之间界面应力形成和作用过程讨论[J].西安理工大学学报,2019,35(2):155-162,8.基金项目
国家自然科学基金青年资助项目(51707155) （51707155）
陕西省自然科学基金青年资助项目(2018JQ5039) （2018JQ5039）
