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抗总剂量辐射华夫饼功率管版图设计

周枭 罗萍 何林彦 肖天成

太赫兹科学与电子信息学报2019,Vol.17Issue(4):730-734,5.
太赫兹科学与电子信息学报2019,Vol.17Issue(4):730-734,5.DOI:10.11805/TKYDA201904.0730

抗总剂量辐射华夫饼功率管版图设计

Design of a TID radiation hardened power MOSFET with waffle layout

周枭 1罗萍 1何林彦 1肖天成1

作者信息

  • 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都 610054
  • 折叠

摘要

关键词

总剂量辐射/功率管/华夫饼结构/漏电流

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

周枭,罗萍,何林彦,肖天成..抗总剂量辐射华夫饼功率管版图设计[J].太赫兹科学与电子信息学报,2019,17(4):730-734,5.

基金项目

国家自然科学基金联合基金(NSAF)资助项目(U1630117) (NSAF)

太赫兹科学与电子信息学报

OA北大核心CSTPCD

2095-4980

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