中国电力2019，Vol.52Issue(9)：48-53,72,7.DOI:10.11930/j.issn.1004-9649.201907093
高压大功率器件用高温栅偏测试装置研制
High Temperature Gate Bias Test Equipment for High Voltage and High Power Devices
摘要
关键词
高压大功率器件/IGBT器件/碳化硅MOSFET器件/高温栅偏测试/阈值电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
邓二平,孟鹤立,王延浩,吴宇轩,赵志斌,黄永章..高压大功率器件用高温栅偏测试装置研制[J].中国电力,2019,52(9):48-53,72,7.基金项目
中央高校基本科研专项资金资助项目(高压大功率IGBT器件老化耦合机理研究,2019MS001). （高压大功率IGBT器件老化耦合机理研究,2019MS001）
