|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|人工晶体学报|基于沉积温度优化和后退火工艺改善a-Si∶H/c-Si界面钝化质量的研究

基于沉积温度优化和后退火工艺改善a-Si∶H/c-Si界面钝化质量的研究

王楠 梁芮 周玉琴

人工晶体学报2019，Vol.48Issue(7)：1287-1292,1313,7.
✕
人工晶体学报2019，Vol.48Issue(7)：1287-1292,1313,7.

基于沉积温度优化和后退火工艺改善a-Si∶H/c-Si界面钝化质量的研究

Improving a-Si∶ H/c-Si Interface Passivation Quality by Deposition Temperature Optimization and Post-annealing Process

王楠 1梁芮 2周玉琴3

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第四十六研究所半导体硅外延材料部,天津300220
  • 2. 天津工业大学材料科学与工程学院,天津300387
  • 3. 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

氢化非晶硅/a-Si∶H/c-Si界面钝化/后退火处理/钝化机理

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王楠,梁芮,周玉琴..基于沉积温度优化和后退火工艺改善a-Si∶H/c-Si界面钝化质量的研究[J].人工晶体学报,2019,48(7):1287-1292,1313,7.

基金项目

国家重点基础研究发展计划(973)项目(2011CBA00705) （973）

天津市自然科学基金(18JCYBJC41800) （18JCYBJC41800）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文