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原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的900℃长期氧化行为

王超 段立辉 张来启

工程科学学报2019,Vol.41Issue(9):1168-1175,8.
工程科学学报2019,Vol.41Issue(9):1168-1175,8.DOI:10.13374/j.issn2095-9389.2019.09.008

原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的900℃长期氧化行为

Long-term oxidation behavior of in situ synthesized SiC particulate-reinforced MoSi2 matrix composites at 900℃

王超 1段立辉 2张来启2

作者信息

  • 1. 内蒙古科技大学材料与冶金学院, 包头014010
  • 2. 北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京100083
  • 折叠

摘要

关键词

复合材料/MoSi2/SiC颗粒增强体/原位合成/低温氧化行为/pest现象

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

王超,段立辉,张来启..原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的900℃长期氧化行为[J].工程科学学报,2019,41(9):1168-1175,8.

基金项目

国家自然科学基金资助项目( 51871012 ) ( 51871012 )

金属材料磨损控制与成型技术国家地方联合工程研究中心开放课题资助项目(HKDNM201805) (HKDNM201805)

工程科学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

2095-9389

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