物理学报2019，Vol.68Issue(19)：133-137,5.DOI:10.7498/aps.68.20190321
储能电容对GaAs光电导开关快前沿正负 对称脉冲输出特性的影响
Effect of capacitance on positive and negative symmetric pulse with fast rising edge based on GaAs photoconductive semiconductor switch
摘要
关键词
GaAs/光电导开关/正负对称脉冲/快速上升时间/储能电容引用本文复制引用
桂淮濛,施卫..储能电容对GaAs光电导开关快前沿正负 对称脉冲输出特性的影响[J].物理学报,2019,68(19):133-137,5.基金项目
国家重点研发计划(批准号:2017YFA0701005)、强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金(批准号:SKLIPR1812)、陕西 省科技计划项目(批准号:2019NY-174)和陕西省教育厅科学研究项目计划(批准号:17JK0056)资助的课题. （批准号:2017YFA0701005）
