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硅基光电子器件的辐射效应研究进展

周悦 胡志远 毕大炜 武爱民

物理学报2019，Vol.68Issue(20)：1-10,145,11.
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物理学报2019，Vol.68Issue(20)：1-10,145,11.DOI:10.7498/aps.68.20190543

硅基光电子器件的辐射效应研究进展

Progress of radiation effects of silicon photonics devices

周悦 1胡志远 2毕大炜 1武爱民2

作者信息

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
  • 2. 中国科学院大学, 材料与光电研究中心, 北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

硅基光电子/辐射效应/电离辐射/非电离辐射

引用本文复制引用

周悦,胡志远,毕大炜,武爱民..硅基光电子器件的辐射效应研究进展[J].物理学报,2019,68(20):1-10,145,11.

基金项目

国家科技重大专项 02 专项 (批准号: 2017ZX02315004-002-003) 和科技部重点研发计划 (批准号: 2016YFE0130000) 资助的课题. （批准号: 2017ZX02315004-002-003）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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