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MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析

于庆奎 王哲力 文平 张洪伟 孙毅 梅博 李晓亮 吕贺 王贺 李鹏伟 唐民

航天器环境工程2019，Vol.36Issue(5)：458-462,5.
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航天器环境工程2019，Vol.36Issue(5)：458-462,5.DOI:10.12126/see.2019.05.008

MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析

Failure analysis of GaN power amplifier due to single event dielectric rupture of MOS capacitor

于庆奎 1王哲力 2文平 3张洪伟 4孙毅 1梅博 2李晓亮 1吕贺 2王贺 1李鹏伟 2唐民1

作者信息

  • 1. 中国空间技术研究院
  • 2. 国防科技工业抗辐照应用技术创新中心:北京 100029
  • 3. 南京电子器件研究所,南京 210016
  • 4. 空间电子信息技术研究院,西安 710100
  • 折叠

摘要

关键词

氮化镓功率放大器/单粒子效应/重离子辐照试验/单粒子介质击穿/MOS电容器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

于庆奎,王哲力,文平,张洪伟,孙毅,梅博,李晓亮,吕贺,王贺,李鹏伟,唐民..MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析[J].航天器环境工程,2019,36(5):458-462,5.

基金项目

国家自然科学基金项目(编号:11875068 （）

11475256) （）

航天器环境工程

OACSTPCD

1673-1379

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