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不同雪崩冲击模式下SiC MOSFET的失效机理

李辉钟懿王少刚于仁泽陈显平姚然王晓龙海洋

中国电机工程学报2019，Vol.39Issue(19)：5595-5603,9.

中国电机工程学报2019，Vol.39Issue(19)：5595-5603,9.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.190569

Failure Mechanism of SiC MOSFET Under Different Avalanche Shocks Mode

李辉 ¹钟懿 ¹王少刚 ¹于仁泽 ¹陈显平 ¹姚然 ¹王晓 ¹龙海洋¹

作者信息

SiCMOSFET/单次脉冲雪崩冲击/重复脉冲雪崩冲击/失效模式/失效机理

信息技术与安全科学

李辉,钟懿,王少刚,于仁泽,陈显平,姚然,王晓,龙海洋..不同雪崩冲击模式下SiC MOSFET的失效机理[J].中国电机工程学报,2019,39(19):5595-5603,9.

国家重点研发计划项目(2018YFB0905704) （2018YFB0905704）

重庆市研究生科研创新项目(CYB19019). （CYB19019）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：0258-8013

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