中国电机工程学报2019，Vol.39Issue(19)：5604-5612,9.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.190512
包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型
SPICE Model of SiC MOSFET Including the Trapped Charge at SiC/SiO2 Interface
摘要
关键词
通用模拟电路仿真器模型/碳化硅金属–氧化物–半导体场效应晶体管/界面电荷/迁移率/泄漏电流/失效分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
周郁明,蒋保国,刘航志,陈兆权,王兵..包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型[J].中国电机工程学报,2019,39(19):5604-5612,9.基金项目
国家自然科学基金项目(11575003). （11575003）
