|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|中国电机工程学报|基于开关能量均衡的并联碳化硅MOSFET芯片筛选

基于开关能量均衡的并联碳化硅MOSFET芯片筛选

孙鹏 赵志斌 蔡雨萌 余秋萍 柯俊吉 崔翔 杨霏 李金元

中国电机工程学报2019，Vol.39Issue(19)：5613-5623,11.
✕
中国电机工程学报2019，Vol.39Issue(19)：5613-5623,11.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.190759

基于开关能量均衡的并联碳化硅MOSFET芯片筛选

Chip Screening for Parallel Silicon Carbide MOSFET Based on Switching Energy Balancing

孙鹏 1赵志斌 1蔡雨萌 1余秋萍 1柯俊吉 1崔翔 1杨霏 2李金元2

作者信息

  • 1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京市昌平区 102206
  • 2. 国家电网全球能源互联网研究院有限公司,北京市昌平区 102211
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅MOSFET/芯片筛选/并联/开关能量

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孙鹏,赵志斌,蔡雨萌,余秋萍,柯俊吉,崔翔,杨霏,李金元..基于开关能量均衡的并联碳化硅MOSFET芯片筛选[J].中国电机工程学报,2019,39(19):5613-5623,11.

基金项目

国家重点研发计划项目(2018YFB0905703). （2018YFB0905703）

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文