发光学报2019，Vol.40Issue(11)：1409-1416,8.DOI:10.3788/fgxb20194011.1409
InSe/Se范德瓦尔斯异质结的可控制备及 其高响应度广光谱光电探测器
Controlled Fabrication InSe/Se Van Der Waals Heterojunction for High Responsivity Broadband Photodetectors
摘要
关键词
半导体/范德瓦尔斯异质结/光电探测器/多层结构分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈洪宇,尚慧明,戴明金,王月飞,李炳生,胡平安..InSe/Se范德瓦尔斯异质结的可控制备及 其高响应度广光谱光电探测器[J].发光学报,2019,40(11):1409-1416,8.基金项目
国家自然科学基金(61874037,61505033) （61874037,61505033）
国家博士后科学基金(2017M621254,2018T110280) （2017M621254,2018T110280）
黑龙江省博士后科学基金(LBH-TZ1708) （LBH-TZ1708）
哈尔滨工业大学微系统与微结构制造教育部重点实验室开放课题(2017KM003) （2017KM003）
哈尔滨工业大学创新课题(HIT.NSRIF.2019060)资助项目 （HIT.NSRIF.2019060）
