含能材料2019，Vol.27Issue(10)：837-844,8.DOI:10.11943/CJEM2019007
瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟
Simulation of the Influence of Transient Voltage Suppression Diode on the Electro-explosive Performance of Semiconductor Bridge Initiator
王军 1李勇 2卢兵 3周彬 1陈厚和 1黄亦斌1
作者信息
- 1. 南京理工大学化工学院,江苏 南京 210094
- 2. 中国工程物理研究院化工材料研究所,四川 绵阳 621999
- 3. 宁波振华电器有限公司,浙江 宁波 315722
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摘要
关键词
半导体桥(SCB)/瞬态电压抑制二极管/电爆特性分类
军事科技引用本文复制引用
王军,李勇,卢兵,周彬,陈厚和,黄亦斌..瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟[J].含能材料,2019,27(10):837-844,8.
