现代应用物理2019，Vol.10Issue(3)：29-34,6.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2019.030503
SiGe异质结双极型晶体管的高功率微波效应与机理
High Power Microwave Effect and Mechanism of SiGe Heterojunction Bipolar Transistor
吴涵 1柴常春 2刘彧千 3李赟 3杨银堂3
作者信息
- 1. 西安电子科技大学微电子学院,西安710071
- 2. 教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071
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摘要
关键词
低噪声放大器/异质结双极型晶体管/高功率微波/损伤效应/机理分析分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
吴涵,柴常春,刘彧千,李赟,杨银堂..SiGe异质结双极型晶体管的高功率微波效应与机理[J].现代应用物理,2019,10(3):29-34,6.
