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1MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响

王志铭 周东 李豫东 文林 马林东 张翔 郭旗

现代应用物理2019,Vol.10Issue(3):59-65,7.
现代应用物理2019,Vol.10Issue(3):59-65,7.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2019.030604

1MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响

Effects on Dark Current of HgCdTe Photovoltaic Detectors Irradiated by 1 MeV Electron at Room Temperature

王志铭 1周东 2李豫东 1文林 1马林东 1张翔 1郭旗2

作者信息

  • 1. 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011
  • 2. 中国科学院大学,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

HgCdTe/光伏器件/暗电流/电子辐照/辐射效应/位移损伤

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王志铭,周东,李豫东,文林,马林东,张翔,郭旗..1MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响[J].现代应用物理,2019,10(3):59-65,7.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(61704190 ()

61640401) ()

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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