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SiC MOSFET短路检测与保护研究综述

吴海富 张建忠 赵进 张雅倩

电工技术学报2019,Vol.34Issue(21):4519-4528,10.
电工技术学报2019,Vol.34Issue(21):4519-4528,10.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.181433

SiC MOSFET短路检测与保护研究综述

Review of Short-Circuit Detection and Protection of Silicon Carbide MOSFETs

吴海富 1张建忠 1赵进 1张雅倩1

作者信息

  • 1. 江苏省智能电网技术与装备重点实验室(东南大学) 南京 210096
  • 折叠

摘要

关键词

SiC MOSFET/短路保护/去饱和检测/降栅压

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴海富,张建忠,赵进,张雅倩..SiC MOSFET短路检测与保护研究综述[J].电工技术学报,2019,34(21):4519-4528,10.

基金项目

国家自然科学基金(51577025)和江苏省智能电网技术与装备重点实验室课题资助项目. (51577025)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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