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基于异质结倍增层的InAlAsSb SACM雪崩光电二极管的优化

蒋毅 陈俊

红外与毫米波学报2019,Vol.38Issue(5):598-603,6.
红外与毫米波学报2019,Vol.38Issue(5):598-603,6.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2019.05.009

基于异质结倍增层的InAlAsSb SACM雪崩光电二极管的优化

Optimization of InAlAsSb SACM APD with a heterojunction multiplication layer

蒋毅 1陈俊1

作者信息

  • 1. 苏州大学电子信息学院,江苏苏州215006
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摘要

关键词

InAlAsSb/雪崩光电二极管/异质结倍增层/击穿电压/穿通电压

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

蒋毅,陈俊..基于异质结倍增层的InAlAsSb SACM雪崩光电二极管的优化[J].红外与毫米波学报,2019,38(5):598-603,6.

基金项目

国家自然科学基金(61774108) (61774108)

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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