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拓扑半金属ZrSiSe器件中面内霍尔效应的观测

韦博元步海军张帅宋凤麒

物理学报2019，Vol.68Issue(22)：236-243,8.

物理学报2019，Vol.68Issue(22)：236-243,8.DOI:10.7498/aps.68.20191501

拓扑半金属ZrSiSe器件中面内霍尔效应的观测

Observation of planar Hall effect in topological semimetal ZrSiSe device

韦博元 ¹步海军 ¹张帅 ¹宋凤麒¹

作者信息

1. 南京大学物理学院, 固体微结构国家重点实验室, 人工微结构科学与技术协同创新中心, 南京 210093
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摘要

关键词

拓扑半金属/面内霍尔效应/手性反常

引用本文复制引用

韦博元,步海军,张帅,宋凤麒..拓扑半金属ZrSiSe器件中面内霍尔效应的观测[J].物理学报,2019,68(22):236-243,8.

基金项目

国家重点研发计划 (批准号: 2017YFA0303203)、国家自然科学基金 (批准号: 91622115, 11522432, 11574217, U1732273,U1732159, 61822403, 11874203, 11904165, 11904166) 和江苏省自然科学基金 (批准号: BK20160659) 资助的课题. （批准号: 2017YFA0303203）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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