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HgTe/CdTe量子阱中自旋拓扑态的退相干效应

闫婕 魏苗苗 邢燕霞

物理学报2019,Vol.68Issue(22):361-371,11.
物理学报2019,Vol.68Issue(22):361-371,11.DOI:10.7498/aps.68.20191072

HgTe/CdTe量子阱中自旋拓扑态的退相干效应

Dephasing effect of quantum spin topological states in HgTe/CdTe quantum well

闫婕 1魏苗苗 1邢燕霞1

作者信息

  • 1. 北京理工大学物理学院, 先进光电量子结构设计与测量教育部重点实验室, 纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室, 北京 100081
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摘要

关键词

量子输运/量子自旋霍尔/非局域电阻/退相干

引用本文复制引用

闫婕,魏苗苗,邢燕霞..HgTe/CdTe量子阱中自旋拓扑态的退相干效应[J].物理学报,2019,68(22):361-371,11.

基金项目

国家自然科学基金 (批准号: 11674024) 资助的课题. (批准号: 11674024)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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