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压接型IGBT器件封装内部多物理场耦合问题研究概述

张一鸣 邓二平 赵志斌 崔翔 唐新灵 任斌 傅实 李金元

中国电机工程学报2019,Vol.39Issue(21):6351-6364,14.
中国电机工程学报2019,Vol.39Issue(21):6351-6364,14.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.182364

压接型IGBT器件封装内部多物理场耦合问题研究概述

A Review of the Multiphysics Coupling Problem in Press Pack IGBT

张一鸣 1邓二平 1赵志斌 1崔翔 1唐新灵 2任斌 1傅实 1李金元2

作者信息

  • 1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京市昌平区102206
  • 2. 全球能源互联网研究院有限公司,北京市昌平区102209
  • 折叠

摘要

关键词

压接型绝缘栅双极型晶体管器件/接触问题/多物理场耦合/耦合变量/简化模型

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张一鸣,邓二平,赵志斌,崔翔,唐新灵,任斌,傅实,李金元..压接型IGBT器件封装内部多物理场耦合问题研究概述[J].中国电机工程学报,2019,39(21):6351-6364,14.

基金项目

国家自然科学基金委员会-国家电网公司智能电网联合基金资助(U1766219) (U1766219)

中央高校基本科研业务费专项资金资助(2019MS001). (2019MS001)

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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