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基于边沿延时翻转的绑定前硅通孔测试方法

倪天明 常郝 卞景昌 易茂祥 梁华国 黄正峰

电子学报2019，Vol.47Issue(11)：2278-2283,6.
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电子学报2019，Vol.47Issue(11)：2278-2283,6.DOI:10.3969/j.issn.0372-2112.2019.11.006

基于边沿延时翻转的绑定前硅通孔测试方法

An Edge Transition Delay Based Pre-Bond TSV Testing Method

倪天明 1常郝 2卞景昌 3易茂祥 3梁华国 3黄正峰3

作者信息

  • 1. 安徽工程大学电气工程学院,高端装备先进感知与智能控制教育部重点实验室,安徽芜湖241000
  • 2. 安徽财经大学计算机科学与技术系,安徽蚌埠233030
  • 3. 合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥230009
  • 折叠

摘要

关键词

3D芯片/硅通孔测试/开路故障/短路故障

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

倪天明,常郝,卞景昌,易茂祥,梁华国,黄正峰..基于边沿延时翻转的绑定前硅通孔测试方法[J].电子学报,2019,47(11):2278-2283,6.

基金项目

国家自然科学基金(No. 61904001,No. 61874156,No. 61704001) （No. 61904001,No. 61874156,No. 61704001）

安徽省自然科学基金(No. 1908085QF272,No. 1808085QF196 （）

安徽省教育厅高校自然科学研究重点项目(No. KJ2019A0163,No. KJ2016A001)安徽工程大学科研启动基金(No. 2018YQQ007) （No. KJ2019A0163,No. KJ2016A001）

电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0372-2112

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