电子科技大学学报2019，Vol.48Issue(6)：947-953,7.DOI:10.3969/j.issn.1001-0548.2019.06.021
SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究
Research on the Impact of Trapped Charges at SiC/SiO2 Interface on the Short-circuit Performances of SiC MOSFET
摘要
关键词
载流子迁移率/电流应力/界面态电荷/泄漏电流/碳化硅MOSFET分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
周郁明,穆世路,蒋保国,王兵,陈兆权..SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究[J].电子科技大学学报,2019,48(6):947-953,7.基金项目
国家自然科学基金(11575003) （11575003）
