| 注册
首页|期刊导航|光通信研究|硅纳米结构提高发光器件辐射强度研究

硅纳米结构提高发光器件辐射强度研究

黄浩逸 侯二林

光通信研究Issue(6):35-41,7.
光通信研究Issue(6):35-41,7.DOI:10.13756/j.gtxyj.2019.06.007

硅纳米结构提高发光器件辐射强度研究

Study on Silicon Nanostructures to Improve Radiation Intensity of Light Emitting Devices

黄浩逸 1侯二林1

作者信息

  • 1. 太原理工大学 新型传感器与智能控制教育部/山西省重点实验室,太原 030024
  • 折叠

摘要

关键词

光电子学/发光器件/光辐射提高/纳米材料

分类

数理科学

引用本文复制引用

黄浩逸,侯二林..硅纳米结构提高发光器件辐射强度研究[J].光通信研究,2019,(6):35-41,7.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(61671316) (61671316)

光通信研究

OA北大核心

1005-8788

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文