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薄膜晶体管平坦化层干法刻蚀工艺的研究

孙明剑 董承远 林锡勳

液晶与显示2019，Vol.34Issue(11)：1055-1060,6.
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液晶与显示2019，Vol.34Issue(11)：1055-1060,6.DOI:10.3788/YJYXS20193411.1055

薄膜晶体管平坦化层干法刻蚀工艺的研究

Dry etching for the planarization layer of thin film transistors

孙明剑 1董承远 2林锡勳1

作者信息

  • 1. 上海交通大学电子信息与电气工程学院,上海200240
  • 2. 昆山龙腾光电有限公司,江苏昆山215301
  • 折叠

摘要

关键词

薄膜晶体管/平坦化层/低介电常数/干法刻蚀

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孙明剑,董承远,林锡勳..薄膜晶体管平坦化层干法刻蚀工艺的研究[J].液晶与显示,2019,34(11):1055-1060,6.

基金项目

国家自然科学基金(No.61474075) （No.61474075）

液晶与显示

OA北大核心CSCDCSTPCD

1007-2780

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