电工技术学报2019，Vol.34Issue(z2)：518-527,10.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L80261
多芯并联封装IGBT缺陷与失效先导判据
The Leading Criterion for Defects and Failures in Multi-Chip Parallel Package IGBTs
摘要
关键词
IGBT缺陷与失效/键合线/最小二乘法/杂散参数辨识分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
黄先进,凌超,孙湖,游小杰..多芯并联封装IGBT缺陷与失效先导判据[J].电工技术学报,2019,34(z2):518-527,10.基金项目
中央高校基本科研业务费"多模块高压大功率 IGBT并联应用特性研究"项目资助(2019JBM063). （2019JBM063）
