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基于GaN-HEMT器件的双有源桥DC-DC变换器的软开关分析

刘佳斌 肖曦 梅红伟

电工技术学报2019，Vol.34Issue(z2)：534-542,9.
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电工技术学报2019，Vol.34Issue(z2)：534-542,9.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L80714

基于GaN-HEMT器件的双有源桥DC-DC变换器的软开关分析

Soft Switching Analysis of Dual Active Bridge DC-DC Converter Based on GaN-HEMT Device

刘佳斌 1肖曦 1梅红伟2

作者信息

  • 1. 清华大学电机系电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室 北京 100084
  • 2. 清华大学深圳研究生院 深圳 518055
  • 折叠

摘要

关键词

双有源桥/GaN-HEMT/软开关/死区时间

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘佳斌,肖曦,梅红伟..基于GaN-HEMT器件的双有源桥DC-DC变换器的软开关分析[J].电工技术学报,2019,34(z2):534-542,9.

基金项目

国家自然科学基金重点资助项目(61733010). （61733010）

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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