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空位及氮掺杂二维ZnO单层材料性质:第一性原理计算与分子轨道分析

黄炳铨 周铁戈 吴道雄 张召富 李百奎

物理学报2019，Vol.68Issue(24)：246-254,9.
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物理学报2019，Vol.68Issue(24)：246-254,9.DOI:10.7498/aps.68.20191258

空位及氮掺杂二维ZnO单层材料性质:第一性原理计算与分子轨道分析

Properties of vacancies and N-doping in monolayer g-ZnO: First-principles calculation and molecular orbital theory analysis

黄炳铨 1周铁戈 2吴道雄 3张召富 4李百奎1

作者信息

  • 1. 深圳大学物理与光电工程学院,深圳518060
  • 2. 南开大学电子信息与光学工程学院,天津300350
  • 3. 中国科学技术大学,合肥微尺度物质科学国家研究中心,合肥230026
  • 4. 剑桥大学工程系,剑桥CB2 1PZ
  • 折叠

摘要

关键词

二维材料/ZnO/缺陷/分子轨道理论/第一性原理计算

引用本文复制引用

黄炳铨,周铁戈,吴道雄,张召富,李百奎..空位及氮掺杂二维ZnO单层材料性质:第一性原理计算与分子轨道分析[J].物理学报,2019,68(24):246-254,9.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61604098)和中央高校基本科研业务费专项(批准号:63191740)资助的课题. （批准号:61604098）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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