|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|发光学报|光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响

光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响

陈澜 吴瑾照 龙浩 史晓玲 应磊莹 郑志威 丘志仁 张保平

发光学报2020，Vol.41Issue(1)：48-54,7.
✕
发光学报2020，Vol.41Issue(1)：48-54,7.DOI:10.3788/fgxb20204101.0048

光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响

Influence of Photo-electron Coupling on Optical Properties of InGaN/GaN Quantum Wells

陈澜 1吴瑾照 1龙浩 1史晓玲 1应磊莹 1郑志威 1丘志仁 2张保平1

作者信息

  • 1. 厦门大学电子科学与技术学 院微纳光电子研究室, 福建 厦门 361005
  • 2. 中山大学物理学院 光电材料与技术国家重点实验室, 广东 广州 510275
  • 折叠

摘要

关键词

有源区/相对光限制因子/内量子效率/复合寿命/垂直腔面发射激光器

分类

数理科学

引用本文复制引用

陈澜,吴瑾照,龙浩,史晓玲,应磊莹,郑志威,丘志仁,张保平..光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响[J].发光学报,2020,41(1):48-54,7.

基金项目

科学挑战专题(TZ2016003) （TZ2016003）

国家自然科学基金(U1505253,11474365)资助项目 （U1505253,11474365）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文