中国电机工程学报2020，Vol.40Issue(1)：234-245,12.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.190875
外部汇流母排对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流特性的影响
Influence of the External Busbar on Current Sharing Performance Insidea Multi-chip Press-pack IGBT Device
摘要
关键词
压接型IGBT/并联均流/汇流母排/涡流场计算分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
顾妙松,崔翔,彭程,唐新灵,杨艺烜,李学宝,赵志斌..外部汇流母排对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流特性的影响[J].中国电机工程学报,2020,40(1):234-245,12.基金项目
国家自然科学基金-国家电网公司联合基金重点项目(U1766219) （U1766219）
中央高校基本科研业务费专项资金资助(JB2018096). （JB2018096）
