金刚石与磨料磨具工程2020，Vol.40Issue(1)：79-91,13.DOI:10.13394/j.cnki.jgszz.2020.1.0013
单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展
Research progress in chemical mechanical polishing of single crystal SiC substrates
摘要
关键词
单晶SiC/化学机械抛光/材料特性/去除机理分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
邓家云,潘继生,张棋翔,郭晓辉,阎秋生..单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展[J].金刚石与磨料磨具工程,2020,40(1):79-91,13.基金项目
NSFC-广东省联合基金(No.U1801259) （No.U1801259）
广东省自然科学基金(No.2019A1515011243) （No.2019A1515011243）
佛山市科技创新专项资金项目(No. 2018IT100242) （No. 2018IT100242）
广州市科技计划项目(No.201904010300). （No.201904010300）
