真空蒸镀中蒸镀源冷却时间对LED芯片性能的影响OA
Effect of cooling time of evaporation source on the performance of LED in vacuum evaporation
主要介绍了LED红光芯片的常规正装垂直结构,以Cr/Ti/Al结构作为金属P电极,在真空蒸镀过程中各层间的蒸镀源冷却时间对LED芯片性能的影响.通过实验Cr/Ti间、Ti/Al间不同蒸镀源冷却时间反映出,对于单层Cr/Ti间冷却时间缩短,或双层Cr/Ti间及Ti/Al间蒸镀源冷却时间缩短到一定时间内,均可以有效降低LED芯片在生产制备环节中的电压,而对亮度影响较小,说明层间界面电阻在一定程度上会受蒸镀源冷却时间的影响.
郑宏
天津三安光电有限公司 天津 300384
信息技术与安全科学
发光二极管P电极电子束真空蒸镀蒸镀源冷却时间界面电阻
《家电科技》 2020 (1)
70-72,3
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