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缺陷组合嵌入VO2薄膜结构的可调太赫兹吸收器

陈旭生 李九生

物理学报2020,Vol.69Issue(2):227-233,7.
物理学报2020,Vol.69Issue(2):227-233,7.DOI:10.7498/aps.69.20191511

缺陷组合嵌入VO2薄膜结构的可调太赫兹吸收器

Tunable terahertz absorber with multi-defect combination embedded VO2 thin film structure

陈旭生 1李九生1

作者信息

  • 1. 中国计量大学, 太赫兹研究所, 杭州 310018
  • 折叠

摘要

关键词

太赫兹波/二氧化钒/多缺陷组合/太赫兹吸收器

引用本文复制引用

陈旭生,李九生..缺陷组合嵌入VO2薄膜结构的可调太赫兹吸收器[J].物理学报,2020,69(2):227-233,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61871355,61831012)资助的课题. (批准号:61871355,61831012)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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