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基于离子注入隔离的微缩化发光二极管阵列性能

高承浩 徐峰 张丽 赵德胜 魏星 车玲娟 庄永漳 张宝顺 张晶

物理学报2020，Vol.69Issue(2)：234-240,7.
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物理学报2020，Vol.69Issue(2)：234-240,7.DOI:10.7498/aps.69.20191418

基于离子注入隔离的微缩化发光二极管阵列性能

Ion implantation isolation based micro-light-emitting diode device array properties

高承浩 1徐峰 2张丽 2赵德胜 3魏星 2车玲娟 2庄永漳 2张宝顺 2张晶2

作者信息

  • 1. 长春理工大学光电工程学院, 长春 085202
  • 2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 纳米加工平台, 苏州 215123
  • 3. 南京大学扬州光电研究院, 扬州 225009
  • 折叠

摘要

关键词

微缩化发光二极管阵列/离子注入隔离/注入能量/发光孔径

引用本文复制引用

高承浩,徐峰,张丽,赵德胜,魏星,车玲娟,庄永漳,张宝顺,张晶..基于离子注入隔离的微缩化发光二极管阵列性能[J].物理学报,2020,69(2):234-240,7.

基金项目

吉林省重大科技招标专项(批准号:20170203014G)、国家自然科学基金(批准号:U1830112,61774014)、江苏省博士后科研资助计划(批准号:2018K008C)和苏州市重点产业技术创新项目(批准号:SYG201928)资助的课题. （批准号:20170203014G）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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