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高功率垂直外腔面发射半导体激光器增益设计及制备

张继业张建伟曾玉刚张俊宁永强张星秦莉刘云王立军

物理学报2020，Vol.69Issue(5)：85-93,9.

物理学报2020，Vol.69Issue(5)：85-93,9.DOI:10.7498/aps.69.20191787

高功率垂直外腔面发射半导体激光器增益设计及制备

Design of gain region of high-power vertical external cavity surface emitting semiconductor laser and its fabrication

张继业 ¹张建伟 ²曾玉刚 ¹张俊 ¹宁永强 ¹张星 ¹秦莉 ¹刘云 ¹王立军¹

作者信息

1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,发光学及应用国家重点实验室,长春 130033
2. 中国科学院大学材料与光电研究中心,北京 100049
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摘要

关键词

光抽运垂直外腔面发射半导体激光器/量子阱/增益芯片/高功率

引用本文复制引用

张继业,张建伟,曾玉刚,张俊,宁永强,张星,秦莉,刘云,王立军..高功率垂直外腔面发射半导体激光器增益设计及制备[J].物理学报,2020,69(5):85-93,9.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2017YFB0503200)、国家自然科学基金(批准号:61874117,11674314,61434005,11774343,61727822)、装备预研领域基金(批准号:61404140107)和吉林省科技发展计划重点项目(批准号:20180201119GX)资助的课题. （批准号:2017YFB0503200）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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