太赫兹科学与电子信息学报2020，Vol.18Issue(1)：89-94,6.DOI:10.11805/TKYDA2018296
X波段300WGaN功率器件技术
X-band 300 W GaN inter-matching Field Effect Transistor
银军 1余若祺 1刘泽 1吴家锋 1段雪1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司 第十三研究所,河北 石家庄 050051
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摘要
关键词
氮化镓/内匹配/X波段/功率/高效率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
银军,余若祺,刘泽,吴家锋,段雪..X波段300WGaN功率器件技术[J].太赫兹科学与电子信息学报,2020,18(1):89-94,6.
