大连理工大学学报2020，Vol.60Issue(2)：137-141,5.DOI:10.7511/dllgxb202002004
Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响
Effect of Ti and Al ratio and annealing temperatures on ohmic contact of AlGaN/GaN HEMT
摘要
关键词
高电子迁移率晶体管/欧姆接触/退火/比接触电阻率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李冰冰,张贺秋,刘旭阳,刘俊,薛东阳,梁红伟,夏晓川..Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响[J].大连理工大学学报,2020,60(2):137-141,5.基金项目
国家自然科学基金资助项目(ZX0180421,ZX20160406,11975257) （ZX0180421,ZX20160406,11975257）
大连市科技计划资助项目(ZX20180681). （ZX20180681）
