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膜厚与紫外光辐照对反应溅射法制备的F掺杂SnO2薄膜结构与光电性能的影响

祝柏林 宋肖肖 陶冶 易昌鸿 吴隽

硅酸盐学报2020,Vol.48Issue(4):491-498,8.
硅酸盐学报2020,Vol.48Issue(4):491-498,8.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.20190527

膜厚与紫外光辐照对反应溅射法制备的F掺杂SnO2薄膜结构与光电性能的影响

Effects of Thickness and Ultraviolet Irradiation on Structural, Optical and Electrical Properties of F-doped SnO2 Films Prepared by Reactive Sputtering

祝柏林 1宋肖肖 1陶冶 1易昌鸿 1吴隽1

作者信息

  • 1. 武汉科技大学,省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉 430081
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摘要

关键词

反应溅射/氟掺杂氧化锡薄膜/透明导电性能/紫外光辐照

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

祝柏林,宋肖肖,陶冶,易昌鸿,吴隽..膜厚与紫外光辐照对反应溅射法制备的F掺杂SnO2薄膜结构与光电性能的影响[J].硅酸盐学报,2020,48(4):491-498,8.

基金项目

湖北省大学生创新创业训练计划项目(201610488042). (201610488042)

硅酸盐学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0454-5648

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