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单层Janus材料GaInSe2的电子结构第一原理计算

徐贤达 孙伟峰

硅酸盐学报2020,Vol.48Issue(4):507-513,7.
硅酸盐学报2020,Vol.48Issue(4):507-513,7.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.20190552

单层Janus材料GaInSe2的电子结构第一原理计算

First-Principles Investigation of GaInSe2 Monolayer as a Janus Material

徐贤达 1孙伟峰1

作者信息

  • 1. 哈尔滨理工大学电气与电子工程学院,工程电介质及其应用教育部重点实验室,黑龙江省电介质工程重点实验室,哈尔滨 150080
  • 折叠

摘要

关键词

Janus二维结构/电子结构/第一原理计算/光电子材料

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

徐贤达,孙伟峰..单层Janus材料GaInSe2的电子结构第一原理计算[J].硅酸盐学报,2020,48(4):507-513,7.

基金项目

中国博士后科学基金面上资助二等资助(2013M531058) (2013M531058)

国家自然科学基金(51607048). (51607048)

硅酸盐学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0454-5648

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