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半导体锗芯光纤拉丝过程中的芯-包层流速差异研究

薛辉 陈娜 陈振宜 刘书朋 商娅娜

光通信技术2020,Vol.44Issue(2):42-46,5.
光通信技术2020,Vol.44Issue(2):42-46,5.DOI:10.13921/j.cnki.issn1002-5561.2020.02.010

半导体锗芯光纤拉丝过程中的芯-包层流速差异研究

Study of the flow velocity difference of core and cladding during the drawing process of semiconductor Ge-core fiber

薛辉 1陈娜 1陈振宜 1刘书朋 1商娅娜1

作者信息

  • 1. 上海大学特种光纤与光接入网重点实验室,上海200444
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摘要

关键词

锗芯光纤/激光拉丝/数值仿真/芯-包层流速

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

薛辉,陈娜,陈振宜,刘书朋,商娅娜..半导体锗芯光纤拉丝过程中的芯-包层流速差异研究[J].光通信技术,2020,44(2):42-46,5.

基金项目

国家自然科学基金项目(61575120,61475095)资助. (61575120,61475095)

光通信技术

1002-5561

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