天津工业大学学报2020，Vol.39Issue(1)：69-76,8.DOI:10.3969/j.issn.1671-024x.2020.01.012
GaN HEMT预充电式驱动电路设计
Design of precharge drive circuit for GaN HEMT
摘要
关键词
GaNHEMT/驱动电路/预充电/箝位分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高圣伟,段尧文,刘晓明,李龙女,董晨名..GaN HEMT预充电式驱动电路设计[J].天津工业大学学报,2020,39(1):69-76,8.基金项目
国家自然科学基金重点资助项目(51337001) （51337001）
国家自然科学基金资助项目(51777136) （51777136）
新能源电力系统国家重点实验室联合基金(LAPS16017) （LAPS16017）
