新型石墨烯基LED器件:从生长机理到器件特性OA北大核心CSCDCSTPCD
Graphene-Based LED: from Principle to Devices
Ⅲ族氮化物因具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度大、稳定性高等优异特性而广泛应用在发光二极管(LED)、激光器以及高频器件中.目前Ⅲ族氮化物薄膜通常是异质外延生长在蓝宝石衬底表面,但是由于蓝宝石与Ⅲ族氮化物之间存在较大的晶格失配与热失配,使得外延生长的Ⅲ族氮化物内部存在较大的应力与较高的位错密度,严重影响了器件性能;与此同时,蓝宝石衬底热导率差,限制了其在大功率器件方面的应用.近年来研究发现,石墨烯作为外延生长缓冲层,能够有效解决蓝宝石衬…查看全部>>
陈召龙;高鹏;刘忠范
北京大学化学与分子工程学院,北京分子科学国家研究中心,北京大学纳米化学研究中心,北京 100871北京石墨烯研究院,北京 100095北京石墨烯研究院,北京 100095
化学化工
石墨烯化学气相沉积蓝宝石Ⅲ族氮化物LED准范德华外延
《物理化学学报》 2020 (1)
新型碳基二维原子晶体材料的控制制备、结构表征及应用探索
241-254,14
国家重点基础研究发展规划项目(973) (2016YFA0200103),国家自然科学基金(51432002,51290272)和北京市科学技术委员会(Z181100004818002)资助
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