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6.5kV高压全SiC功率MOSFET模块研制

金晓行 李士颜 田丽欣 陈允峰 郝凤斌 柏松 潘艳

中国电机工程学报2020，Vol.40Issue(6)：1753-1758,6.
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中国电机工程学报2020，Vol.40Issue(6)：1753-1758,6.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.190695

6.5kV高压全SiC功率MOSFET模块研制

Fabrication of 6.5kV High-voltage Full SiC Power MOSFET Modules

金晓行 1李士颜 1田丽欣 2陈允峰 1郝凤斌 3柏松 1潘艳2

作者信息

  • 1. 宽禁带半导体电力电子国家重点实验室(南京电子器件研究所),江苏省南京市 210016
  • 2. 先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京市昌平区 102211
  • 3. 国扬电子有限公司,江苏省扬州市 225100
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅/碳化硅功率金属场效应晶体管模块/6.5kV/开关时间/开关损耗

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

金晓行,李士颜,田丽欣,陈允峰,郝凤斌,柏松,潘艳..6.5kV高压全SiC功率MOSFET模块研制[J].中国电机工程学报,2020,40(6):1753-1758,6.

基金项目

国家重点研发计划项目(2016YFB0400502). （2016YFB0400502）

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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