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采用降温曲线的SiC MOSFET模块热参数的测量

郑帅 杜雄 张军 孙鹏菊 罗全明

中国电机工程学报2020,Vol.40Issue(6):1759-1768,10.
中国电机工程学报2020,Vol.40Issue(6):1759-1768,10.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.190754

采用降温曲线的SiC MOSFET模块热参数的测量

Measurement of Thermal Parameters of SiC MOSFET Modules With Cooling Curves

郑帅 1杜雄 1张军 1孙鹏菊 1罗全明1

作者信息

  • 1. 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学),重庆市沙坪坝区 400044
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摘要

关键词

SiCMOSFET模块/热网络参数/SiCSBD/参数测量

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郑帅,杜雄,张军,孙鹏菊,罗全明..采用降温曲线的SiC MOSFET模块热参数的测量[J].中国电机工程学报,2020,40(6):1759-1768,10.

基金项目

国家自然科学基金项目(51577020). (51577020)

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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