中国电机工程学报2020，Vol.40Issue(6)：1775-1786,12.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.190744
半桥结构中的SiC MOSFET串扰电压建模研究
Modeling of SiC MOSFET Crosstalk Voltage in Half Bridge Circuit
摘要
关键词
SiCMOSFET/串扰/共源电感/SiC驱动分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈滢,李成敏,鲁哲别,罗皓泽,李楚杉,李武华,何湘宁..半桥结构中的SiC MOSFET串扰电压建模研究[J].中国电机工程学报,2020,40(6):1775-1786,12.基金项目
国家自然科学基金(面上基金项目)(51677166) （面上基金项目）
国家自然科学基金联合基金项目(U183420013). （U183420013）
