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40nm IC静态和动态ESD测试及失效分析

赵军伟 乔彦彬 张海峰 陈燕宁 李杰伟 符荣杰

南京师范大学学报（工程技术版）2019，Vol.19Issue(4)：8-12,5.
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南京师范大学学报（工程技术版）2019，Vol.19Issue(4)：8-12,5.DOI:10.3969/j.issn.1672-1292.2019.04.002

40nm IC静态和动态ESD测试及失效分析

Static and Dynamic ESD Testing and Failure Analysis for 40 nm IC Products

赵军伟 1乔彦彬 2张海峰 1陈燕宁 2李杰伟 1符荣杰2

作者信息

  • 1. 北京智芯微电子科技有限公司,国家电网公司重点实验室 电力芯片设计分析实验室,北京100192
  • 2. 北京智芯微电子科技有限公司,北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心,北京100192
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摘要

关键词

静电放电/静电保护/器件充放电模式/激光束电阻异常侦测

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵军伟,乔彦彬,张海峰,陈燕宁,李杰伟,符荣杰..40nm IC静态和动态ESD测试及失效分析[J].南京师范大学学报（工程技术版）,2019,19(4):8-12,5.

基金项目

国家自然科学基金(U1866212). （U1866212）

南京师范大学学报（工程技术版）

1672-1292

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