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电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的影响(一):计算研究

顾妙松 崔翔 彭程 唐新灵 杨艺烜 李学宝 赵志斌

中国电机工程学报2020,Vol.40Issue(7):2318-2329,中插26,13.
中国电机工程学报2020,Vol.40Issue(7):2318-2329,中插26,13.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.191005

电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的影响(一):计算研究

Influence of Electrode Structure and Arrangement on Current Sharing Performance Inside a Multi-chip Press-pack IGBT Device (Part Ⅰ): Analysis and Calculation

顾妙松 1崔翔 1彭程 1唐新灵 2杨艺烜 1李学宝 1赵志斌1

作者信息

  • 1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京市 昌平区 102206
  • 2. 全球能源互联网研究院,北京市昌平区 102209
  • 折叠

摘要

关键词

压接型IGBT/并联均流/汇流母排/涡流场计算

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

顾妙松,崔翔,彭程,唐新灵,杨艺烜,李学宝,赵志斌..电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的影响(一):计算研究[J].中国电机工程学报,2020,40(7):2318-2329,中插26,13.

基金项目

国家自然科学基金-国家电网公司联合基金重点项目(U1766219) (U1766219)

中央高校基本科研业务费专项资金(JB2018096). (JB2018096)

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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