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抗辐射低噪声CMOS图像传感器设计技术研究

郭仲杰 吴龙胜

传感技术学报2020,Vol.33Issue(2):221-226,6.
传感技术学报2020,Vol.33Issue(2):221-226,6.DOI:10.3969/j.issn.1004-1699.2020.02.010

抗辐射低噪声CMOS图像传感器设计技术研究

Research on the Design Technology of Radiation Hardened Low Noise CMOS Image Sensor

郭仲杰 1吴龙胜2

作者信息

  • 1. 西安理工大学自动化与信息工程学院,西安710048
  • 2. 西安微电子技术研究所,西安710065
  • 折叠

摘要

关键词

CMOS图像传感器/噪声优化/电离总剂量/单粒子闩锁/读出电路

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郭仲杰,吴龙胜..抗辐射低噪声CMOS图像传感器设计技术研究[J].传感技术学报,2020,33(2):221-226,6.

基金项目

陕西省教育厅科学研究计划项目(19JC029) (19JC029)

传感技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1004-1699

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