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化学气相沉积法制备ZnSe多晶材料的缺陷研究

魏乃光 黎建明 张鹏飞 蒋立朋 李冬旭 杨海 袁琴 郭立 田智瑞 宋姿霖 刘晓华

人工晶体学报2020,Vol.49Issue(1):152-157,6.
人工晶体学报2020,Vol.49Issue(1):152-157,6.

化学气相沉积法制备ZnSe多晶材料的缺陷研究

Study on the Defects of ZnSe Polycrystalline Materials Prepared by Chemical Vapor Deposition Method

魏乃光 1黎建明 1张鹏飞 1蒋立朋 1李冬旭 1杨海 1袁琴 1郭立 1田智瑞 1宋姿霖 1刘晓华1

作者信息

  • 1. 有研科技集团,有研国晶辉新材料有限公司,三河065201
  • 折叠

摘要

关键词

化学气相沉积法(CVD)/ZnSe/缺陷

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

魏乃光,黎建明,张鹏飞,蒋立朋,李冬旭,杨海,袁琴,郭立,田智瑞,宋姿霖,刘晓华..化学气相沉积法制备ZnSe多晶材料的缺陷研究[J].人工晶体学报,2020,49(1):152-157,6.

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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