人工晶体学报2020，Vol.49Issue(2)：239-245,258,8.
C、N、F掺杂对VO2电子结构影响的研究
Effect of C, N and F Doping on Electronic Structure of VO2
摘要
关键词
第一性原理/二氧化钒/态密度分类
数理科学引用本文复制引用
万金玉,刘怡飞,李雪娇..C、N、F掺杂对VO2电子结构影响的研究[J].人工晶体学报,2020,49(2):239-245,258,8.基金项目
福建省自然科学基金计划(2019J01474) （2019J01474）
泉州市科技计划(2018N121S) （2018N121S）
